Япония начинает производство: 2 нанометра изменят баланс в технологиях

Японская компания Rapidus, занимающаяся производством полупроводников, достигла важного этапа в развитии 2-нанометрового (нм) процесса производства микросхем. Компания официально начала тестовое производство транзисторов нового поколения с архитектурой Gate-All-Around (GAA). Производство осуществляется на заводе IIM-1 в Титосэ.

ВАЖНЫЙ ШАГ ПЕРЕД МАССОВЫМ ПРОИЗВОДСТВОМ

Было объявлено, что 2-нм чипы, полученные в ходе тестового производства, соответствуют установленным техническим критериям электрических характеристик. Были измерены такие параметры, как пороговое напряжение, токи проводимости и утечки, а также крутизна перехода. Хотя технические подробности не были опубликованы, включение тестовых чипов в производственную линию свидетельствует об успешности процесса НИОКР.

ПРОИЗВОДСТВЕННАЯ ИНФРАСТРУКТУРА ПОДГОТОВЛЕНА С 2023 ГОДА

Закладка производственной инфраструктуры на объекте ИИM-1 состоялась в сентябре 2023 года. Строительство чистых помещений было завершено в 2024 году, а к июню 2025 года было введено в эксплуатацию более 200 единиц производственного оборудования, включая литографические машины DUV и EUV. Монтаж систем EUV был завершен в декабре 2024 года, а первые производственные испытания состоялись в апреле 2025 года.

ВСЕ ТАБЛИЧКИ БУДУТ ОБРАБОТАНЫ ИНДИВИДУАЛЬНО

Метод производства Rapidus привлекает внимание отрасли. Компания объявила о внедрении системы «обработки одной пластины» на всех этапах производства. При этом каждая полупроводниковая пластина обрабатывается и проверяется индивидуально.

В то время как такие производители, как TSMC, Samsung и Intel, в настоящее время используют этот метод только на определенных этапах, Rapidus стремится выполнять все процессы, включая окисление, ионную имплантацию и очистку, с помощью этого метода.

ПРОБЛЕМ ТАК ЖЕ МНОГО, КАК И ПРЕИМУЩЕСТВ

Эта производственная система позволяет анализировать каждую пластину в режиме реального времени, выявлять ошибки на ранних этапах и динамически оптимизировать процесс. Однако у этого метода есть и недостатки. Среди наиболее заметных технических проблем — увеличение сроков производства, повышение затрат и необходимость использования сложного оборудования.

Несмотря на это, Rapidus утверждает, что в долгосрочной перспективе этот метод обеспечит конкурентное преимущество в технологиях 2 нм и выше благодаря низкому уровню ошибок, высокой эффективности и гибкой производственной инфраструктуре.